000			02049ntdaa2200349 ab4500
003			UnInEc
005			20231110160224.0
006			a||||g ||i| 00| 0
008			140501s9999 mx ||||f |||| 00| 0 spa d
020			_a9786074422924
040			_aCIBESPAM MFL
041			_aspa
082			_a621.381 _bB792 _c2009
100			_aBoylestad, Robert L.
245			_aElectrónica. Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos.
250			_aDécima Edición
260			_aMéxico _bPearson Educación _c2009
300			_axviii, 894 páginas; _bfiguras, gráficos, tablas; _c27 cm x 21 cm
505			_aCAPÍTULO 1: Diodos semiconductores CAPÍTULO 2: Aplicaciones del diodo CAPÍTULO 3: Transistores de unión bipolar CAPÍTULO 4: Polarización de cd de los BJT CAPÍTULO 5: Análisis de ca de un BJT CAPÍTULO 6: Transistores de efectos de campo CAPÍTULO 7: Polarización de los FET CAPÍTULO 8: Amplificadores con FET CAPÍTULO 9: Respuesta en frecuencia de los BJT y los JFET CAPÍTULO 10: Amplificadores operacionales CAPÍTULO 11: Aplicaciones del amplificador operacional CAPÍTULO 12: Amplificadores de potencia CAPÍTULO 13: Circuitos integrados analógicos-digitales CAPÍTULO 14: Realimentación y circuitos osciladores CAPÍTULO 15: Fuentes de alimentación (reguladores de voltaje) CAPÍTULO 16: Otros dispositivos de dos terminales CAPÍTULO 17: Dispositivos pnpn y de otros tipos Apéndice A: Parámetros híbridos: determinación gráfica y ecuaciones de conversión (exactas y aproximadas) Apéndice B: Factor de rizo y cálculo de voltaje Apéndice C: Gráficas y tablas Apéndice D: Soluciones a problemas impares seleccionadas
650			_aCompuertas
650			_aRecortadores
650			_aTransistor
650			_aMOSFET
650			_aPolarización
650			_aDecibeles
650			_aRedes combinadas
650			_aFiltros activos
700			_aNashelsky, Louis
912			_c2023-11-10 _dMaría Zambrano
913			_aTIC _bCC _bCIEA _dSCSAS
942			_2ddc _cBK
999			_c1235 _d1235